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內(nèi)存研究的趨勢(shì)是開發(fā)一種新的存儲(chǔ)器，稱為非易失性RAM，它結(jié)合了RAM的快速讀取與大容量存儲(chǔ)器的海量內(nèi)存的特點(diǎn)。

有很多新儲(chǔ)存單元方案，例如，F(xiàn)eRAM(鐵電儲(chǔ)存器)，ReRAM(電阻儲(chǔ)存器)，MRAM(磁阻儲(chǔ)存器)，STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)矩磁阻儲(chǔ)存器)，PCM(相變存儲(chǔ)器)。

這些類型的儲(chǔ)存器是以使用不同的物理原理改變材料傳導(dǎo)性為基礎(chǔ)。例如，在電介質(zhì)材料層中一根細(xì)線的形成或破壞，材料結(jié)構(gòu)由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Щ蚺c磁場一直。

在本應(yīng)用案例中，我們介紹如何使用脈沖發(fā)生器測(cè)試STT-MRAM儲(chǔ)存單元。